Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

STGW100H65FB2-4

Name: STMicroelectronics STGW100H65FB2-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW100H65FB2-4
Price: 9.12 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

511-STGW100H65FB2-4

Fabricante N.º:

STGW100H65FB2-4

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pa

Complete su diseño

Hoja de datos:

STGW100H65FB2-4 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre STMicroelectronics STGW100H65FB2-4

En existencias: 42

Existencias:: 42 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 15 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Las cantidades superiores a 42 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$9.12	$9.12
	$5.69	$56.90
	$4.39	$439.00
	$4.38	$2,628.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.55 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	145 A
Dp - Disipación de potencia :	441 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Serie:	HB2
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	IGBTs
Peso de la unidad:	4.430 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

STGW100H65FB2-4 Hoja de datos (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors

STMicroelectronics HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine a very low saturation voltage (down to 1.6V) with a minimal collector current turn-off tail and a maximum operating temperature of 175°C. This enhances the efficiency of high-frequency applications (up to 100kHz) and leverages the advanced proprietary Trench Gate Field-Stop (TGFS) structure.

650V IH Series IGBTs

STMicroelectronics 650V IH Series IGBTs offer high efficiency for induction heating systems and soft switching applications. The STMicroelectronics IGBTs belong to the STPOWER™ family that exceeds the HB series, currently used for induction heating applications. The 650V IH series ensures increased efficiency in final applications thanks to a lower V_CE(sat) combined with very low turn-off energy. 40A and 50A devices are already available in TO-247 Long Leads packages, and 20A and 30A devices are being developed.