STP100N8F6

STMicroelectronics
511-STP100N8F6
STP100N8F6

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 0.008 Ohm typ., 100 A, STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 pack

Modelo ECAD:
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Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$2.20 $2.20
$1.09 $10.90
$0.95 $95.00
$0.762 $381.00
$0.688 $688.00
$0.632 $1,264.00
$0.61 $3,050.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
80 V
100 A
8 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
100 nC
- 55 C
+ 175 C
176 W
Enhancement
STripFET
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
País de ensamblaje: CN
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 21 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 46 ns
Serie: STP100N8F6
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 103 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 33 ns
Peso de la unidad: 2 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99