STP10NM60N

STMicroelectronics
511-STP10NM60N
STP10NM60N

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A

Modelo ECAD:
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Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Cantidad Precio unitario
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$3.79 $3.79
$1.93 $19.30
$1.74 $174.00
$1.43 $715.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
10 A
550 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
19 nC
- 55 C
+ 150 C
70 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
País de ensamblaje: CN
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 15 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 12 ns
Serie: STP10NM60N
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 32 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 10 ns
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99