STP55NF06FP

STMicroelectronics
511-STP55NF06FP
STP55NF06FP

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 55 Amp

Modelo ECAD:
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Plazo de entrega de fábrica:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
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Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$2.07 $2.07
$1.01 $10.10
$0.886 $88.60
$0.718 $359.00
$0.626 $626.00
$0.597 $1,194.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
50 A
15 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
44.5 nC
- 55 C
+ 175 C
30 W
Enhancement
STripFET
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: SG
Tiempo de caída: 15 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 18 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 50 ns
Serie: STP55NF06FP
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 36 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 20 ns
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99