STW25N60M2-EP

STMicroelectronics
511-STW25N60M2-EP
STW25N60M2-EP

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 pack

Modelo ECAD:
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En existencias: 124

Existencias:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Cantidad Precio unitario
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$4.14 $4.14
$2.73 $27.30
$1.93 $193.00
$1.55 $930.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
18 A
188 mOhms
- 25 V, 25 V
3.25 V
29 nC
- 55 C
+ 150 C
150 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: STW25N60M2-EP
Cantidad de empaque de fábrica: 600
Subcategoría: Transistors
Peso de la unidad: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8542310000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8542319000
MXHTS:
8542310302
ECCN:
EAR99