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VNP35N07-E

Name: STMicroelectronics VNP35N07-E
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-VNP35N07-E
Price: 5.39 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-VNP35N07-E

Fabricante N.º:

VNP35N07-E

Fabricante:

STMicroelectronics

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	70 V
Id - Corriente de drenaje continua:	35 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	28 mOhms
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	100 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	40 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q100
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	200 ns, 4.3 us
Transconductancia hacia delante - Mín.:	25 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	350 ns, 2.7 us
Serie:	VNP35N07-E
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel OMNIFET Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	650 ns, 10 us
Tiempo típico de demora de encendido:	100 ns, 500 us
Peso de la unidad:	2 g