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TSCDF20065G1

Name: Taiwan Semiconductor TSCDF20065G1
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSCDF20065G1
Price: 4.73 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

821-TSCDF20065G1

Fabricante N.º:

TSCDF20065G1

Fabricante:

Taiwan Semiconductor

Descripción:

Diodos Schottky de SiC 20A, 650V, SiC Schottky Diode

Ciclo de vida:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220AC-2
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	20 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión directa:	1.38 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	128 A
Ir - Corriente inversa:	20 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Tube
Marca:	Taiwan Semiconductor
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	455 V
Peso de la unidad:	1.650 g

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CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

TSCD 650V SiC Schottky Diodes

Taiwan Semiconductor TSCD 650V SiC Schottky Diodes feature a maximum junction temperature of +175°C and ensure robust performance under challenging conditions. Taiwan Semiconductor TSCD diodes have an MPS structure that enhances ruggedness to forward current surge events, making them suitable for high-demand scenarios. These diodes facilitate high-speed switching and boast a high forward surge capability, enabling efficient operation in various power supply systems. Additionally, the positive temperature coefficient on VF ensures stability across temperature ranges.