TSCDH20065G1

Name: Taiwan Semiconductor TSCDH20065G1
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSCDH20065G1
Price: 8.91 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

821-TSCDH20065G1

Fabricante N.º:

TSCDH20065G1

Fabricante:

Taiwan Semiconductor

Descripción:

Diodos Schottky de SiC 20A, 650V, SiC Schottky Diode

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

TSCDH20065G1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Taiwan Semiconductor TSCDH20065G1

En existencias: 290

Existencias:: 290 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 12 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$8.91	$8.91
	$6.75	$67.50
	$5.13	$513.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Configuración:	Dual Anode Common Cathode
If - Corriente directa:	20 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión directa:	1.34 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	88 A
Ir - Corriente inversa:	20 uA
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Tube
Marca:	Taiwan Semiconductor
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	455 V
Peso de la unidad:	6.280 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

TSCD 650V SiC Schottky Diodes

Taiwan Semiconductor TSCD 650V SiC Schottky Diodes feature a maximum junction temperature of +175°C and ensure robust performance under challenging conditions. Taiwan Semiconductor TSCD diodes have an MPS structure that enhances ruggedness to forward current surge events, making them suitable for high-demand scenarios. These diodes facilitate high-speed switching and boast a high forward surge capability, enabling efficient operation in various power supply systems. Additionally, the positive temperature coefficient on VF ensures stability across temperature ranges.