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TSCDT10065G1

Name: Taiwan Semiconductor TSCDT10065G1
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSCDT10065G1
Price: 4.58 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

821-TSCDT10065G1

Fabricante N.º:

TSCDT10065G1

Fabricante:

Taiwan Semiconductor

Descripción:

Diodos Schottky de SiC 10A, 650V, SiC Schottky Diode

Hoja de datos:

TSCDT10065G1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220AC-2
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	10 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión directa:	1.34 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	84 A
Ir - Corriente inversa:	20 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Tube
Marca:	Taiwan Semiconductor
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	455 V
Peso de la unidad:	2.030 g

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USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

TSCD 650V SiC Schottky Diodes

Taiwan Semiconductor TSCD 650V SiC Schottky Diodes feature a maximum junction temperature of +175°C and ensure robust performance under challenging conditions. Taiwan Semiconductor TSCD diodes have an MPS structure that enhances ruggedness to forward current surge events, making them suitable for high-demand scenarios. These diodes facilitate high-speed switching and boast a high forward surge capability, enabling efficient operation in various power supply systems. Additionally, the positive temperature coefficient on VF ensures stability across temperature ranges.