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TSM033NB04LCR RLG

Name: Taiwan Semiconductor TSM033NB04LCR RLG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM033NB04LCRRLG
Price: 0.6 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

821-TSM033NB04LCRRLG

Fabricante N.º:

TSM033NB04LCR RLG

Fabricante:

Taiwan Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos:

TSM033NB04LCR RLG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PDFN56-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	121 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	79 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	107 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Marca:	Taiwan Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	25 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	63 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	21 ns
Serie:	TSM
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	Single N-Channel Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	47 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	3 ns
Alias de las piezas n.º:	TSM033NB04LCR
Peso de la unidad:	372.608 mg