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TSM250NB06DCR RLG

Name: Taiwan Semiconductor TSM250NB06DCR RLG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM250NB06DCRRLG
Price: 1.78 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

821-TSM250NB06DCRRLG

Fabricante N.º:

TSM250NB06DCR RLG

Fabricante:

Taiwan Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 30A, Dual N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos:

TSM250NB06DCR RLG Hoja de datos

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	$0.548	$548.00
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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PDFN-56-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	30 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	25 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	22 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2 W, 48 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Taiwan Semiconductor
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tiempo de caída:	3 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	36 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	9 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	14 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7 ns
Alias de las piezas n.º:	TSM250NB06DCR
Peso de la unidad:	372.608 mg

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Dual N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor Dual N-Channel Power MOSFETs feature low drain-source on-state resistance, minimizing conductive losses. The devices enable a low gate charge for fast switching. Taiwan Semiconductor Dual N-Channel Power MOSFETs are ideal for BLDC motor control, battery power management, and DC-DC converter applications.