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TSM900N10CP ROG

Name: Taiwan Semiconductor TSM900N10CP ROG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM900N10CPROG
Price: 1.18 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

821-TSM900N10CPROG

Fabricante N.º:

TSM900N10CP ROG

Fabricante:

Taiwan Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 15A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos:

TSM900N10CP ROG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$0.342	$342.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$0.304	$760.00
	$0.289	$1,445.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-252S-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	15 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	72 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.2 V
Qg - Carga de puerta:	9.3 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	50 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Taiwan Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tiempo de caída:	5.3 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	9.5 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	18.4 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	2.9 ns
Alias de las piezas n.º:	TSM900N10CP
Peso de la unidad:	350 mg