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CSD19505KTTT

Name: Texas Instruments CSD19505KTTT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19505KTTT
Price: 5.25 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

595-CSD19505KTTT

Fabricante N.º:

CSD19505KTTT

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD19505KTT

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 50)

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MouseReel™ (+$7.00)

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Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$5.25	$5.25
	$2.87	$28.70
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 50)
	$2.87	$143.50
	$2.37	$237.00

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N.º de artículo del Fabricante:

CSD19505KTT

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$4.09

Mín.:

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Fabricante:

Texas Instruments

Fabricante N.º:

CSD19505KTT

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 595 A 595-CSD19505KTTT

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	200 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.1 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.6 V
Qg - Carga de puerta:	76 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	300 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	3 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	262 S
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5 ns
Serie:	CSD19505KTT
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	22 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns
Peso de la unidad:	2 g

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ECCN:: EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

TI N-Channel 8-23-12

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.