CSD23382F4

Texas Instruments
595-CSD23382F4
CSD23382F4

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel MOSFET A 5 95-CSD23382F4T A 59 A 595-CSD23382F4T

Modelo ECAD:
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$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$0.43 $0.43
$0.263 $2.63
$0.167 $16.70
$0.125 $62.50
$0.111 $111.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
$0.093 $279.00
$0.084 $504.00
$0.071 $639.00
$0.07 $1,680.00
† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:
Embalaje:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
$1.43
Mín.:
1

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Texas Instruments
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-3
P-Channel
1 Channel
12 V
3.5 A
76 mOhms
- 8 V, 8 V
500 mV
1.04 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Texas Instruments
Configuración: Single
País de ensamblaje: PH
País de difusión: CN
País de origen: PH
Kit de desarrollo: CSD1FPCHEVM-890
Tiempo de caída: 41 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 3.4 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 25 ns
Serie: CSD23382F4
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 66 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 28 ns
Peso de la unidad: 0.400 mg
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.