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LMG3522R050RQST

Name: Texas Instruments LMG3522R050RQST
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3522R050RQST
Price: 23.22 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-LMG3522R050RQST

Fabricante N.º:

LMG3522R050RQST

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Controladores de puertas 650-V 50-m? GaN FET with integrated driv

Hoja de datos:

LMG3522R050RQST Hoja de datos

Modelo ECAD:

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$-.--

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$-.--

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$23.22	$23.22
	$16.78	$167.80
	$13.67	$1,367.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
	$13.66	$3,415.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
REACH - SVHC:
Producto:	GaN FET
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VQFN-52
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	LMG3522R050
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Voltaje de entrada - Máx.:	18 V
Voltaje de entrada - Mín.:	7.5 V
Sensibles a la humedad:	Yes
Corriente de suministro operativa:	9.7 mA
Tipo de producto:	Gate Drivers
Cantidad de empaque de fábrica:	250
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs

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CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

LMG3522R050 650V GaN FET

Texas Instrument LMG3522R050 650V GaN FET with integrated driver and protection targets switch-mode power converters and enables designers to achieve new power density and efficiency levels. The LMG3522R050 integrates a silicon driver that enables switching speeds up to 150Vns. TI offers integrated precision gate bias, which results in higher switching SOA when compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers minimal ringing and clean switching in hard-switching power supply topologies. The adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 15V/ns to 150V/ns. This control can be used to actively control EMI and optimize switching performance.