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LMG3526R030RQSR

Name: Texas Instruments LMG3526R030RQSR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3526R030RQSR
Price: 15.14 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

595-LMG3526R030RQSR

Fabricante N.º:

LMG3526R030RQSR

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Controladores de puertas 650-V 30-m? GaN FET with integrated driv

Hoja de datos:

LMG3526R030RQSR Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Controladores de puertas
Alertas de entrega:	Este producto puede necesitar documentación adicional para ser exportado desde los Estados Unidos.
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VQFN-52
Tiempo de subida:	2.8 ns
Tiempo de caída:	22 ns
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	LMG3526R030
Empaquetado:	Reel
Marca:	Texas Instruments
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	Not Available
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	Gate Drivers
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	35 mOhms
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	GaN
Nombre comercial:	GaN

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Hoja de datos

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MXHTS:: 8542399999
ECCN:: 3A001.A.2.A

LMG3526R030 GaN FET with Integrated Driver

Texas Instruments LMG3526R030 GaN FET with Integrated Driver comes with protections and targets switch-mode power converters and enables designers to achieve new power density and efficiency levels. The LMG3526R030 integrates a silicon driver that enables switching speeds up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA than discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to control EMI and optimize switching performance actively.