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UCC5870QDWJQ1

Name: Texas Instruments UCC5870QDWJQ1
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-UCC5870QDWJQ1
Price: 21.23 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-UCC5870QDWJQ1

Fabricante N.º:

UCC5870QDWJQ1

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Controladores de puerta con aislamiento galvánico Automotive 3.75kVrm s 30A single-channel A 595-UCC5870QDWJRQ1

Ciclo de vida:

Fin de vida útil:

Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

Hoja de datos:

UCC5870QDWJQ1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$17.15	$171.50
	$16.44	$411.00
	$14.48	$1,607.28
	$13.77	$3,566.43
	$12.88	$6,671.84
1,036	Presupuesto

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

UCC5870QDWJRQ1

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$16.14

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Controladores de puerta con aislamiento galvánico
RoHS:
Serie:	UCC5870
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SSOP-36
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Dp - Disipación de potencia :	500 mW
Retraso de propagación - Máx.:	150 ns
Tiempo de subida:	150 ns
Tiempo de caída:	150 ns
Empaquetado:	Tube
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Inverting
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Número de controladores:	1 Driver
Número de salidas:	1 Output
Corriente de salida:	30 A
Voltaje de salida:	15 V to 30 V
Producto:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Tipo de producto:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Apagado:	Shutdown
Cantidad de empaque de fábrica:	37
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Voltaje de alimentación - Máx.:	5.5 V
Voltaje de alimentación - Mín.:	3 V
Tecnología:	SiC

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

UCC5870-Q1 IGBT/SiC MOSFET Gate Driver

Texas Instruments UCC5870-Q1 IGBT/SiC MOSFET Gate Driver is a functional safety compliant, isolated, highly configurable single-channel gate driver targeted to drive high power SiC MOSFETs and IGBTs in EV/HEV applications. Power transistor protections such as shunt resistor based over-current, NTC based over-temperature, and DESAT detection, including selectable soft turn off or two-level turn off during these faults. To further reduce the application size, the Texas Instruments UCC5870-Q1 integrates a 4A active Miller clamp during switching and an active gate pull-down while the driver is unpowered. An integrated 10-bit ADC enables monitoring up to six analog inputs and the gate driver temperature for enhanced system management. Diagnostics and detection functions are integrated to simplify the design of ASIL-D compliant systems. The parameters and thresholds for these features are configurable using the SPI interface, which allows the device to be used with nearly any SiC MOSFET or IGBT.