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SSM6N55NU,LF

Name: Toshiba SSM6N55NU,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM6N55NULF
Price: 0.32 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-SSM6N55NULF

Fabricante N.º:

SSM6N55NU,LF

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD

Hoja de datos:

SSM6N55NU,LF Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$0.32	$0.32
	$0.213	$2.13
	$0.154	$15.40
	$0.128	$64.00
	$0.12	$120.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.098	$294.00
	$0.097	$2,328.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Nombre comercial:	U-MOSVII-H
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Toshiba
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	SSM6N55
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Peso de la unidad:	8.500 mg

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SSM6N55NU,LF Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Models

Simulation Model

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low R_DS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

U-MOSVII-H MOSFETs

Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are logic-level gate drive and low-voltage gate drive devices offered in both single-channel and dual-channel variants. These devices have a drain-source voltage range of 12V to 60V and a continuous drain current range from 0.15m to 9.0A. Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are offered in a wide range of compact, surface-mounted package types, making them ideal for high-density applications.