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SSM6N7002CFU,LF

Name: Toshiba SSM6N7002CFU,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM6N7002CFULF
Price: 0.23 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-SSM6N7002CFULF

Fabricante N.º:

SSM6N7002CFU,LF

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 2-in-1

Hoja de datos:

SSM6N7002CFU,LF Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$0.23	$0.23
	$0.139	$1.39
	$0.086	$8.60
	$0.063	$31.50
	$0.056	$56.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.042	$126.00
	$0.038	$228.00
	$0.034	$306.00
	$0.033	$792.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-363-6
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	170 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.9 Ohms, 3.9 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.1 V
Qg - Carga de puerta:	270 pC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	285 mW
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	U-MOSVII-H
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Toshiba
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Tiempo de caída:	24 ns, 24 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	3 ns, 3 ns
Serie:	SSM6N7002
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	7 ns, 7 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	2 ns, 2 ns
Peso de la unidad:	7.500 mg

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

U-MOSVII-H MOSFETs

Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are logic-level gate drive and low-voltage gate drive devices offered in both single-channel and dual-channel variants. These devices have a drain-source voltage range of 12V to 60V and a continuous drain current range from 0.15m to 9.0A. Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are offered in a wide range of compact, surface-mounted package types, making them ideal for high-density applications.