Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

TK2K2A60F,S4X

Name: Toshiba TK2K2A60F,S4X
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK2K2A60FS4X
Price: 1.63 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

757-TK2K2A60FS4X

Fabricante N.º:

TK2K2A60F,S4X

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS

Hoja de datos:

TK2K2A60F,S4X Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Toshiba TK2K2A60F,S4X

En existencias: 340

Existencias:: 340 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 10 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$1.63	$1.63
	$0.86	$8.60
	$0.678	$67.80
	$0.501	$250.50
	$0.426	$426.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	3.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.2 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	13 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	30 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MOSIX
Empaquetado:	Tube
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	JP
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	15 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	14 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	50 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	32 ns
Peso de la unidad:	2 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

TK2K2A60F,S4X Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

π-MOS IX Planar Power MOSFETs

Toshiba π-MOS IX Planar Power MOSFETs offer high-efficiency and low noise in a compact TO-220SIS package. π-MOS IX MOSFETs provide optimal performance due to the double-diffused process design adjustment. With an optimized chip design, the π-MOS IX components provide 5dB lower peak EMI noise than the previous π-MOS VII series, while maintaining the same efficiency level. These N-channel power MOSFETs offer high design flexibility, reducing workloads. In addition, the π-MOS IX series provides the same rated avalanche current and rated drain current (DC), making it simple to replace existing MOSFETs.