TK5R3E08QM,S1X

Toshiba
757-TK5R3E08QMS1X
TK5R3E08QM,S1X

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220AB 80V 5.3mohm

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Toshiba
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
80 V
120 A
5.3 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
55 nC
+ 175 C
150 W
Enhancement
Tube
Marca: Toshiba
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 81 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 81 ns
Serie: UMOS X-H
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 130 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 99 ns
Alias de las piezas n.º: TK5R3E08QM,S1X(S
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

80V N-Channel U-MOS X-H MOSFETs

Toshiba 80V N-Channel U-MOS X-H MOSFETs provide high-speed switching, a small gate charge, and low power dissipation. The U-MOS X-H MOSFETs offer an excellent drain-source on-resistance (RDS(ON)) x transmission resistance x input capacitance (Ciss) value leading to high conductivity and low gate driver losses. The reduced output capacitance (COSS) lowers the output charge (QOSS), increasing the switching efficiency of these devices. These MOSFETs are suitable for switching voltage regulators, motor drivers, and high-efficiency DC-DC converters.