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TPH1R204PB,L1Q

Name: Toshiba TPH1R204PB,L1Q
Brand: Toshiba
SKU: 757-TPH1R204PBL1Q
Price: 2.09 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

757-TPH1R204PBL1Q

Fabricante N.º:

TPH1R204PB,L1Q

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 N-CH 40V 150A

Hoja de datos:

TPH1R204PB,L1Q Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)

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MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$2.09	$2.09
	$1.34	$13.40
	$0.904	$90.40
	$0.72	$360.00
	$0.683	$683.00
	$0.672	$1,680.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	$0.646	$3,230.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	240 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	62 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	132 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	U-MOSIX-H
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	17 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	9 ns
Serie:	TPH1R204PB
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	61 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	22 ns
Peso de la unidad:	83 mg

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Journey of Motor Control

Toshiba Journey of Motor Control highlights Toshiba's 40-year history in providing solutions for Motor Control with Driver ICs and MCUs. Toshiba Vector Engine MCUs deliver high performance, low costs, and easy software designs. The portfolio covers adjacent system building blocks like power supply and isolation. This portfolio provides a complete solution for robotics, industrial, and automotive as a source for all required components from Toshiba.

UMOS9-H Silicon N-channel MOSFETs

Toshiba UMOS9-H Silicon N-channel MOSFETs are ideal for high-efficiency DC-to-DC converters, switching voltage regulators, and motor drivers. These MOSFETs boast a small gate charge, a small output charge, low drain-source on-resistance, and low leakage current. The UMOS9-H N-channel MOSFETs feature 80V drain-source voltage, ±20V gate-source voltage, and 175°C channel temperature. These MOSFETs also feature ±0.1µA gate leakage current, 10µA drain cut-off current, and a -55°C to 175°C storage temperature range. The UMOS9-H N-channel MOSFETs are RoHS-compliant and come in a 0.108g 2-5W1A (SOP Advance (N)) package.

U-MOSIX-H MOSFETs

Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are high-efficiency MOSFETs that are specifically designed for use in the secondary side of AC-DC power supplies. This includes notebook PC adapters, game consoles, servers, desktop PCs, and flat-panel displays. It also includes DC-DC power supplies for communication equipment, servers, and data centers. The MOSFETs feature high-speed switching, small gate charge, and low drain-source on-resistance. These MOSFETs are fabricated with the Gen-8 and Gen-9 trench MOS processes. Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage MOSFETs will help improve the efficiency of power supplies.