TRS12A65F,S1Q

Name: Toshiba TRS12A65F,S1Q
Brand: Toshiba
SKU: 757-TRS12A65F,S1Q
Price: 7.31 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-TRS12A65F,S1Q

Fabricante N.º:

TRS12A65F,S1Q

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Diodos Schottky de SiC RECT 650V 12A RDL SIC SKY

Hoja de datos:

TRS12A65F,S1Q Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220F-2L
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	12 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión directa:	1.45 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	92 A
Ir - Corriente inversa:	600 nA
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	Toshiba
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Dp - Disipación de potencia :	41 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	650 V
Alias de las piezas n.º:	TRS12A65F,S1Q(S2
Peso de la unidad:	1.830 g

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Hoja de datos

TRS12A65F,S1Q Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

SiC Schottky Barrier Diodes

Toshiba SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) feature high reverse voltage ratings and short reverse recovery time (trr). Toshiba also provides 650V SBDs with a junction barrier Schottky (JBS) structure for low leakage current (Ir) and high surge current capability. These devices improve the efficiency of switched-mode power supplies.