TW015Z65C,S1F

MOSFET de carburo de silicio de 3ra generación

Los MOSFET de carburo de silicio de 3ra generación de Toshiba están diseñados para aplicaciones industriales de alta potencia como fuentes de alimentación CA-CC de entrada de 400 V AC. Otras aplicaciones incluyen inversores fotovoltaicos (PV) y convertidores CC-CC bidireccionales para fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS). Estos MOSFET contribuyen a reducir el consumo de energía y a mejorar la densidad de energía. Esto se debe a la tecnología SiC que permite que los dispositivos ofrezcan voltajes más altos, conmutación más rápida y menor resistencia en conducción. El diseño de chips de tercera generación de Toshiba ofrece confiabilidad mejorada, además de la capacitancia de entrada (C_ISS) de 4850 pF (típico), una baja carga de entrada de puerta (Q_g) de 128 NC (típico) y una resistencia en conducción drenaje a fuente (R_{DS(On)) de solo 15 mΩ o 30 mΩ (típico).}