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IRF640PBF-BE3

Name: Vishay IRF640PBF-BE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-IRF640PBF-BE3
Price: 2.57 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-IRF640PBF-BE3

Fabricante N.º:

IRF640PBF-BE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 18A N-CH MOSFET

Hoja de datos:

IRF640PBF-BE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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N.º de artículo del Fabricante:

IRF640PBF

Embalaje:

Tube

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$3.49

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	200 V
Id - Corriente de drenaje continua:	18 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	180 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	7 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	125 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tiempo de caída:	36 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	45 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	45 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	14 ns
Alias de las piezas n.º:	IRF640PBF
Peso de la unidad:	2 g

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Atributos seleccionados: 0

                        
This part number has a BE3 suffix; however, it is the exact form, fit, 
and function of the part number without the BE3 suffix. The only 
difference is the country of origin.
Please contact a Mouser Technical Service Representative for further assistance 
5-0321-9