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SIR574DP-T1-BE3

Name: Vishay SIR574DP-T1-BE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIR574DP-T1-BE3
Price: 2.28 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SIR574DP-T1-BE3

Fabricante N.º:

SIR574DP-T1-BE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 13.8 m 10V

Hoja de datos:

SIR574DP-T1-BE3 Hoja de datos

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Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$2.28	$2.28
	$1.47	$14.70
	$0.997	$99.70
	$0.796	$398.00
	$0.731	$731.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.731	$2,193.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SO-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	48.1 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	13.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	31.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	78 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Tiempo de caída:	9 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	45 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	9 ns
Serie:	SiR574DP
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	22 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	18 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TrenchFET® Gen V Power MOSFETs with VDS

Vishay / Siliconix TrenchFET^® Gen V Power MOSFETs increase power conversion efficiency with a very low R_DS x Q_g figure-of-merit (FOM). The Gen V Power MOSFETs have 80V, 100V, and 150V drain-source breakdown voltage options. The Gen V Power MOSFETs are available in a PowerPAK^® 1212-8SH or PowerPAK SO-8 single package.