Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

SQJ202EP-T1_GE3

Name: Vishay SQJ202EP-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQJ202EP-T1_GE3
Price: 2 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

78-SQJ202EP-T1_GE3

Fabricante N.º:

SQJ202EP-T1_GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N Ch 12V Vds AEC-Q101 Qualified

Hoja de datos:

SQJ202EP-T1_GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Vishay / Siliconix SQJ202EP-T1_GE3

En existencias: 2,250

Existencias:: 2,250 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$2.00	$2.00
	$1.28	$12.80
	$0.864	$86.40
	$0.686	$343.00
	$0.645	$645.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.611	$1,833.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

SQJ202EP-T1_BE3

Embalaje:

Reel, Cut Tape

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$2.02

Mín.:

Producto similar

Fabricante:

Vishay

Fabricante N.º:

SQJ202EP-T1_BE3

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFE

Comparar con la parte actual

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK-SO-8-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	12 V
Id - Corriente de drenaje continua:	20 A, 60 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5.2 mOhms, 2.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	22 nC, 54 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	27 W, 48 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	2.6 ns, 5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	49 S, 91 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	3.2 ns, 4.5 ns
Serie:	SQJ
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	20 ns, 28 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8.8 ns, 10.7 ns
Peso de la unidad:	506.600 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

SQJ202EP-T1_GE3 Hoja de datos

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

SQJ2x Dual N-Channel Auto MOSFETs

Vishay SQJ2x Dual N-Channel Auto MOSFETs are AEC-Q101-qualified modules that are part of the TrenchFET® power MOSFET series. The SQJ2x devices are housed in SO-8L packages with an operating junction and storage temperature range of -55°C to +175°C. The SQJ200 series has a drain-source voltage of 20V_DS while the SQJ202 and SQJ204 have a 12V_DS drain-source voltage. The SQJ200 and SQJ202 modules provide 20V_GS gate to source voltage and the SQJ204 series offers 12V_GS. The SQJ244 and SQJ208 MOSFETs offer 40V_DS and ±20V_GS. The SQJ260, SQJ262, and SQJ264 MOSFETs provide 60V_DS and ±20V_GS. Applications for Vishay SQJ2x Dual N-Channel Auto MOSFETs include e-bikes, infotainment, cameras, and radars.

SQJ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs are TrenchFET^®Gen IV N-Channel 40V_DS power MOSFETs. These AEC-Q101 qualified MOSFETs are 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested with less-than 1 Q_gd/Q_gs ratio that optimizes the switching characteristics. The Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs offer very low R_DS(on) and operate within the -55°C to 175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a PowerPAK^® SO-8L package with single/dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives and actuators, and battery management.