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SIR512DP-T1-BE3

Name: Vishay SIR512DP-T1-BE3
Brand: Vishay
SKU: 78-SIR512DP-T1-BE3
Price: 3.17 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SIR512DP-T1-BE3

Fabricante N.º:

SIR512DP-T1-BE3

Fabricante:

Vishay

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	$1.07	$6,420.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK-SO-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	100 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	41 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	96.2 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerPak
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Vishay
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Tiempo de caída:	11 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	75 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8 ns
Serie:	SIR
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	TrenchFET Gen V Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	34 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	34 ns