SIR578DP-T1-RE3

Vishay
78-SIR578DP-T1-RE3
SIR578DP-T1-RE3

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 150V 70.2A N-CH MOSFET

Modelo ECAD:
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En existencias: 6,892

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
42 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$3.63 $3.63
$2.38 $23.80
$1.66 $166.00
$1.46 $730.00
$1.38 $1,380.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Vishay
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SO-8
N-Channel
1 Channel
150 V
70.2 A
8.8 mOhms
- 10 V, 10 V
4 V
24.5 nC
- 55 C
+ 150 C
Enhancement
Marca: Vishay
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 23 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 62 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 22 ns
Serie: SIR
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico: 23 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 18 ns
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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99