SIR5802DP-T1-RE3

Vishay
78-SIR5802DP-T1-RE3
SIR5802DP-T1-RE3

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 33.6A

Modelo ECAD:
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En existencias: 5,875

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$2.81 $2.81
$1.82 $18.20
$1.26 $126.00
$1.03 $515.00
$0.971 $2,913.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Vishay
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO-8
N-Channel
1 Channel
80 V
137.5 A
2.9 mOhms
- 10 V, 10 V
4 V
28 nC
- 55 C
+ 150 C
PowerPAK
Marca: Vishay
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 12 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 49 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 11 ns
Serie: SIR
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico: 25 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 21 ns
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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99