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SIR5812DP-T1-RE3

Name: Vishay SIR5812DP-T1-RE3
Brand: Vishay
SKU: 78-SIR5812DP-T1-RE3
Price: 1.38 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SIR5812DP-T1-RE3

Fabricante N.º:

SIR5812DP-T1-RE3

Fabricante:

Vishay

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK-SO-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	45.3 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	13.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	10 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	50 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Vishay
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	20 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	7 ns
Serie:	SIR
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	TrenchFET Gen V Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	10 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns