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C3M0021120J2-TR

Name: Wolfspeed C3M0021120J2-TR
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0021120J2-TR
Price: 18.42 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

941-C3M0021120J2-TR

Fabricante N.º:

C3M0021120J2-TR

Fabricante:

Wolfspeed

Descripción:

MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 21mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial

Hoja de datos:

C3M0021120J2-TR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$12.75	$1,275.00
	$9.87	$4,935.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
	$9.86	$7,888.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Wolfspeed
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-263-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	248 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	35 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, + 19 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.8 V
Qg - Carga de puerta:	169 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	500 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Wolfspeed
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	13 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	35 S
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	34 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	Silicon Carbide Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	54 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	15 ns

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PCN

Product Change Notification 2024-10-02 (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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