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C3M0075120K-A

Name: Wolfspeed C3M0075120K-A
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0075120K-A
Price: 6.51 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

941-C3M0075120K-A

Fabricante N.º:

C3M0075120K-A

Fabricante:

Wolfspeed

Descripción:

MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial

Hoja de datos:

C3M0075120K-A Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Wolfspeed
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	32 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	90 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, + 19 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.6 V
Qg - Carga de puerta:	53 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	136 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Wolfspeed
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MOSFET de potencia de carburo de silicio 1,200 V

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio de 1,200 V de Wolfspeed marcan el estándar en cuanto a rendimiento, resistencia y facilidad de diseño. Los MOSFET de Wolfspeed cuentan con capacidades de conmutación rápida y de baja pérdida, lo que garantiza una mejora significativa en la eficiencia del sistema, la densidad de potencia y el costo general de BOM en comparación con los MOSFET de silicio e IGBT existentes.