CAB008A12GM3

Wolfspeed
941-CAB008A12GM3
CAB008A12GM3

Fabricante:

Descripción:
Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 8mO, 1200V, 48 mm, AlN GM3, Half-Bridge, Industrial

Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

En existencias: 33

Existencias:
33 Se puede enviar inmediatamente
Las cantidades superiores a 33 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$191.56 $191.56
$178.12 $1,781.20
108 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Wolfspeed
Categoría de producto: Módulos de semiconductores discretos
RoHS: N
SiC Modules
Half Bridge
SiC
5.3 V
1.2 kV
- 4 V, + 15 V
Screw Mount
- 40 C
+ 150 C
WolfPACK
Tray
Marca: Wolfspeed
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: PH
Tipo de producto: Discrete Semiconductor Modules
Cantidad de empaque de fábrica: 18
Subcategoría: Discrete Semiconductor Modules
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8504409100
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Módulos de potencia basados en SiC WolfPACK™

Los módulos de potencia basados en SiC WolfPACK™ de Wolfspeed son sencillos y están diseñados para suministrar energía limpia y confiable para sistemas de conversión de energía. Estos módulos ofrecen un nivel increíblemente bajo de pérdidas en un paquete que se adapta extremadamente bien a la automatización y producción a gran escala. Estos módulos WolfPACK de Wolfspeed se incluyen en configuraciones MOSFET SiC de medio puente y MOSFET SiC de seis núcleos con una variedad de opciones de mΩ. Los dispositivos tienen un tamaño compacto y se pueden utilizar para diseñar un sistema optimizado de mayor densidad de potencia. Pueden ayudar a los diseñadores de sistemas a habilitar una solución más compacta que la que se puede obtener con varios dispositivos discretos o con módulos más grandes y de alta ampacidad.