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CAB530M12BM3

Name: Wolfspeed CAB530M12BM3
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-CAB530M12BM3
Price: 702.72 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

941-CAB530M12BM3

Fabricante N.º:

CAB530M12BM3

Fabricante:

Wolfspeed

Descripción:

Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 530A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial

Hoja de datos:

CAB530M12BM3 Hoja de datos

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Wolfspeed
Categoría de producto:	Módulos de semiconductores discretos
RoHS:	N
Producto:	SiC Modules
Tipo:	Half Bridge
Tecnología:	SiC
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 4 V, + 15 V
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	Module
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Marca:	Wolfspeed
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Id - Corriente de drenaje continua:	530 A
Tipo de producto:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.67 mOhms
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Discrete Semiconductor Modules
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.6 V

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CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

62mm Silicon Carbide Half-Bridge Modules

Wolfspeed 1200V and 1700V 62mm Silicon Carbide (SiC) Half-Bridge Modules combine the system benefits of SiC with a robust and low-inductance layout. The half-bridge modules feature increased system efficiency due to SiC's low switching and conduction losses. These power modules include a low-inductance internal layout, enabling maximum voltage utilization with minimal overshoot and ringing. The half-bridge modules are chosen from aluminum nitride ceramic for reduced thermal resistance with robust CTE matching and silicon nitride ceramic for sustained maximum junction temperature operation.