IS20M8R0S1P

iDEAL Semiconductor
25-IS20M8R0S1P
IS20M8R0S1P

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 200V 128A TO-220

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
iDEAL Semiconductor
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
200 V
128 A
8.3 mOhms
20 V
4.1 V
73 nC
- 55 C
+ 175 C
333 W
Enhancement
Tube
Marca: iDEAL Semiconductor
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: US
Tiempo de caída: 5.5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 37 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 5.9 ns
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 41.8 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 18.7 ns
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TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

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