FCPF190N60E

onsemi
512-FCPF190N60E
FCPF190N60E

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-CHAN MOSFET

Modelo ECAD:
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En existencias: 5,629

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$5.91 $5.91
$3.87 $38.70
$2.85 $285.00
$2.53 $1,265.00
$2.25 $2,250.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
20.6 A
190 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
82 nC
- 55 C
+ 150 C
39 W
Enhancement
SuperFET II
Tube
Marca: onsemi
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 40 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 20 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 38 ns
Serie: FCPF190N60E
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 212 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 56 ns
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99