FCPF220N80

onsemi
512-FCPF220N80
FCPF220N80

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET

Modelo ECAD:
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En existencias: 715

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
15 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$8.09 $8.09
$5.38 $53.80
$4.35 $435.00
$3.87 $1,935.00
$3.43 $3,430.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
23 A
220 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
78 nC
- 55 C
+ 150 C
40 W
Enhancement
SuperFET II
Tube
Marca: onsemi
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 2.6 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 19 ns
Serie: FCPF220N80
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico: 75 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 27 ns
Peso de la unidad: 2 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

SuperFET® II Power MOSFETs

onsemi SuperFET® II Power MOSFETs are a high voltage MOSFET family utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology has been tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy. SuperFET II MOSFETs are suitable for various AC-DC power conversion in switching mode operation for system miniaturization and high efficiency.