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FDB3632

Name: onsemi FDB3632
Brand: onsemi
SKU: 512-FDB3632
Price: 4.13 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

512-FDB3632

Fabricante N.º:

FDB3632

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel PowerTrench

Hoja de datos:

FDB3632 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$4.13	$4.13
	$2.72	$27.20
	$1.92	$192.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
	$1.92	$1,536.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	80 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	7.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	110 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	310 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	US
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	46 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	39 ns
Serie:	FDB3632
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	96 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	30 ns
Alias de las piezas n.º:	FDB3632_NL
Peso de la unidad:	4 g

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Models

FDB3632 Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

PowerTrench® MOSFETs

onsemi PowerTrench^® MOSFETs offer a broad portfolio of MOSFETs in the industry. These onsemi MOSFETs offer N-Channel and P-Channel versions optimized for low R_DS(ON) switching performance and ruggedness. Typical applications include load switches, primary switching, mobile computing, DC-DC converters, and synchronous rectifiers.