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FDD306P

Name: onsemi FDD306P
Brand: onsemi
SKU: 512-FDD306P
Price: 1.52 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

512-FDD306P

Fabricante N.º:

FDD306P

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SPECIFIED POWER TR 1.8V PCH

Hoja de datos:

FDD306P Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.52	$1.52
	$0.959	$9.59
	$0.639	$63.90
	$0.501	$250.50
	$0.457	$457.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$0.41	$1,025.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	12 V
Id - Corriente de drenaje continua:	6.7 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	28 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.5 V
Qg - Carga de puerta:	21 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	52 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	KR
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	41 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8 ns
Serie:	FDD306P
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	34 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	16 ns
Alias de las piezas n.º:	FDD306P_NL
Peso de la unidad:	330 mg

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Models

FDD306P Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PowerTrench® MOSFETs

onsemi PowerTrench^® MOSFETs offer a broad portfolio of MOSFETs in the industry. These onsemi MOSFETs offer N-Channel and P-Channel versions optimized for low R_DS(ON) switching performance and ruggedness. Typical applications include load switches, primary switching, mobile computing, DC-DC converters, and synchronous rectifiers.