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FDMS86520L

Name: onsemi FDMS86520L
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMS86520L
Price: 2.37 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

512-FDMS86520L

Fabricante N.º:

FDMS86520L

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel PowerTrench MOSFET

Hoja de datos:

FDMS86520L Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$2.37	$2.37
	$1.63	$16.30
	$1.23	$123.00
	$1.07	$535.00
	$1.01	$1,010.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.882	$2,646.00
24,000	Presupuesto

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	Power-56-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	13.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	8.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	63 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	69 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Transconductancia hacia delante - Mín.:	51 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	FDMS86520L
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso de la unidad:	74 mg

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Hoja de datos

FDMS86520L Hoja de datos (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Fairchild PowerTrench MOSFETs

Power Trench MOSFETs EXPANSION

ON Semiconductor has expanded its line of Power Trench MOSFETs to offer different drain-to-source voltages, drain current and R_DS(ON). Additional features in this expansion of the ON Semiconductor Power Trench® MOSFETs include advanced package and silicon combination for low R_DS(ON) and high efficiency, thermally efficient packages, and next generation enhanced body diode technology engineered for soft recovery. Applications for these Power Trench® MOSFETs include synchronous rectifiers for DC/DC converters, notebook or networking low side switch, telecom secondary side rectification, load switches, and many more.
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ON Semiconductor offers both N-Channel and P-Channel versions of MOSFETs using their advanced Power Trench process that has been optimized for low R_DS(ON) switching performance and ruggedness.
View the entire Power Trench® MOSFETs offering

PowerTrench® MOSFETs

onsemi PowerTrench^® MOSFETs offer a broad portfolio of MOSFETs in the industry. These onsemi MOSFETs offer N-Channel and P-Channel versions optimized for low R_DS(ON) switching performance and ruggedness. Typical applications include load switches, primary switching, mobile computing, DC-DC converters, and synchronous rectifiers.

Fairchild Power Trench™ MOSFETs

Fairchild's PowerTrench® MOSFETs are optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. These PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing Fairchild's advanced technology, the FOM (figure of merit) of these devices is 66 percent lower than that of the previous generation. The soft body diode performance of these PowerTrench® MOSFETs are able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating - MOSFETs that need this circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. These Fairchild PowerTrench® MOSFETs provide designers the opportunity to significantly increase system efficiency and power density in synchronous rectification applications.
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