FDP047N08

onsemi
512-FDP047N08
FDP047N08

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V N-Channel PowerTrench

Modelo ECAD:
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En existencias: 3,593

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$4.33 $4.33
$2.05 $20.50
$1.91 $191.00
$1.67 $835.00
$1.52 $1,520.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
75 V
164 A
4.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
152 nC
- 55 C
+ 175 C
268 W
Enhancement
PowerTrench
Tube
Marca: onsemi
Configuración: Single
País de ensamblaje: CN
País de difusión: US
País de origen: CN
Tiempo de caída: 114 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 147 ns
Serie: FDP047N08
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 220 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 100 ns
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99