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FFSD0865B

Name: onsemi FFSD0865B
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSD0865B
Price: 2.21 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-FFSD0865B

Fabricante N.º:

FFSD0865B

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Diodos Schottky de SiC 650V 8A SIC SBD GEN1.5

Hoja de datos:

FFSD0865B Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$1.20	$1,200.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$1.07	$2,675.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	8 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión directa:	1.39 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	42 A
Ir - Corriente inversa:	40 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	FFSD0865B
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	KR
País de origen:	CN
Dp - Disipación de potencia :	91 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Nombre comercial:	EliteSiC
Vr - Tensión inversa:	650 V

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Hoja de datos

FFSD0865B Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

D2 EliteSiC Diodes

onsemi D2 EliteSiC Diodes are a range of high-performance diodes designed for applications requiring a voltage rating of 650V. The onsemi D2 is available in various packages, including DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, and TO-247-3. These diodes offer low capacitive charge (QC) and are optimized for high-speed switching with low forward voltage. These features make the diodes ideal for power factor correction (PFC) and output rectification applications.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.