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FGH4L40T120SWD

Name: onsemi FGH4L40T120SWD
Brand: onsemi
SKU: 863-FGH4L40T120SWD
Price: 7.11 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-FGH4L40T120SWD

Fabricante N.º:

FGH4L40T120SWD

Fabricante:

onsemi

Descripción:

IGBTs 1200V/40A FS7 IGBT NSCR TO247

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	SIngle
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.65 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	80 A
Dp - Disipación de potencia :	384 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	FGH4L40T120SWD
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	KR
País de origen:	CN
Corriente de fuga puerta-emisor:	400 nA
Tipo de producto:	IGBTs
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

FGH4L40Tx 1200V/40A Field Stop Power IGBTs

onsemi FGH4L40Tx 1200V/40A Field Stop Power Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) are engineered for high-efficiency switching in demanding power applications. These IGBTs feature low conduction and switching losses, ideal for use in motor drives, Uninterruptible Power Supply (UPS) systems, and renewable energy inverters. With robust short-circuit capability and soft switching performance, the IGBTs support high-frequency operation while maintaining thermal stability. The optimized design of the onsemi Field Stop technology-based FGH4L40Tx IGBTs enable reliable performance in both hard- and soft-switching topologies, helping designers meet stringent efficiency and power density requirements in industrial and energy-focused systems.