MICROFJ-60035-TSV-TR1

onsemi
863-MFJ60035TSVTR1
MICROFJ-60035-TSV-TR1

Fabricante:

Descripción:
Fotodiodos J-SERIES 6MM 35U TSV

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Fotodiodos
RoHS:  
Photodiode Arrays
SMD/SMT
420 nm
7.5 uA
250 ps
- 40 C
+ 85 C
J-Series SIPM
Marca: onsemi
País de ensamblaje: TH
País de difusión: JP
País de origen: JP
Sensibles a la humedad: Yes
Empaquetado: Cut Tape
Tipo de producto: Photodiodes
Cantidad de empaque de fábrica: 1
Subcategoría: Optical Detectors & Sensors
Nombre comercial: SensL
Alias de las piezas n.º: MICROFJ-60035-TSV-TA
Peso de la unidad: 1.030 g
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CNHTS:
8541490000
CAHTS:
8541490010
USHTS:
8541491050
JPHTS:
854149000
TARIC:
8541490000
BRHTS:
85414900
ECCN:
EAR99

Sensores fotomultiplicadores de silicio (SiPM) serie J

Los sensores fotomultiplicadores de silicio (SiPM) serie J de onsemi se han optimizado para aplicaciones de tiempo de alto desempeño, como ToF-PET (tomografía por emisión de positrones en tiempo de vuelo). Debido a una mayor densidad de microceldas, los sensores serie J pueden alcanzar una eficiencia de detección de fotones (PDE) del 50 %, y con una sensibilidad que se extiende a la UV. Estos sensores incluyen bajas tasas de recuento en condiciones de oscuridad de 50 kHz/mm2 y, debido a que los sensores se diseñan mediante un proceso de silicio CMOS de alto volumen, cuentan con una excepcional uniformidad de voltaje de ruptura de ±250 mV. Los sensores serie J están disponibles en tamaños de 3 mm, 4 mm y 6 mm en un paquete de escala de chip TSV que es compatible con los procesos de soldadura por reflujo libres de plomo que son estándar de la industria. Los sensores serie J también cuentan con una salida rápida exclusiva de onsemi para capacidades rápidas.

Silicon Photomultipliers (SiPMs)

onsemi Silicon Photomultipliers (SiPMs) feature high gain, fast timing, and excellent PDE with practical advantages associated with solid state technology (SST). These onsemi SiPMs offer a fast output terminal and are manufactured using a CMOS process. The SiPMs have a breakdown voltage uniformity of ±250mV across all sensors in a product line, a low-temperature coefficient of 21mV/°C, and <30V bias voltage. These SiPMs are ideal for medical imaging, hazard and threat, 3D ranging and imaging, and high energy physics.

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