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NTMFS5113PLT1G

Name: onsemi NTMFS5113PLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS5113PLT1G
Price: 3.03 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTMFS5113PLT1G

Fabricante N.º:

NTMFS5113PLT1G

Fabricante:

onsemi

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	$1.06	$1,590.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SO-8FL-4
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	64 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	14 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	45 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	150 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	TW
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	77 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	43 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	37 ns
Serie:	NTMFS5113PL
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	54 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	15 ns
Peso de la unidad:	175 mg