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NTMTS0D6N04CTXG

Name: onsemi NTMTS0D6N04CTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMTS0D6N04CTXG
Price: 4.33 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTMTS0D6N04CTXG

Fabricante N.º:

NTMTS0D6N04CTXG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSION

Hoja de datos:

NTMTS0D6N04CTXG Hoja de datos

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$1.52	$4,560.00
24,000	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	Power-88-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	533 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	480 uOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	187 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	245 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	PH
País de difusión:	JP
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	32.3 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	27.9 ns
Serie:	NTMTS0D6N04C
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	86 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	33.6 ns
Peso de la unidad:	319.280 mg

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PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.