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NVMFD010N10MCLT1G

Name: onsemi NVMFD010N10MCLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFD010N10MCLT1G
Price: 3.03 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-VMFD010N10MCLT1G

Fabricante N.º:

NVMFD010N10MCLT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LL SO8FL DUAL

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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	$1.36	$136.00
	$1.14	$570.00
	$1.06	$1,060.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	$1.06	$1,590.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	61 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	10.4 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	26 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	84 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	5.5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	4.2 ns
Serie:	NVMFD010N10MCL
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	32 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns

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NVMFD010N10MCLT1G Hoja de datos (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVMFDx 100V Dual N-Channel Power MOSFETs

onsemi NVMFDx 100V Dual N-Channel Power MOSFETs are high-efficiency, compact solutions designed for demanding power switching applications. These MOSFETs feature low R_DS(on) values and fast switching characteristics, making the onsemi NVMFDx ideal for use in DC-DC converters, motor drives, and battery management systems. Housed in a space-saving DFN-8 package, these MOSFETs support high current handling and thermal performance, which is critical for automotive, industrial, and consumer electronics. Each variant offers different current and resistance profiles to suit specific design needs, while maintaining robust avalanche energy ratings and low gate charge for improved efficiency and reliability in high-performance power systems.