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NVMFWD016N06CT1G

Name: onsemi NVMFWD016N06CT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFWD016N06CT1G
Price: 1.14 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

863-NVMFWD016N06CT1G

Fabricante N.º:

NVMFWD016N06CT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

Hoja de datos:

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Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-8
Empaquetado:	Reel
Marca:	onsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	JP
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	NVMFD016N06C
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	161.193 mg

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.