NVVR26A120M1WST

Name: onsemi NVVR26A120M1WST
Brand: onsemi
SKU: 863-NVVR26A120M1WST
Price: 448.64 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVVR26A120M1WST

Fabricante N.º:

NVVR26A120M1WST

Fabricante:

onsemi

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	AHPM-15
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	400 A
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.2 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	1 kW
Serie:	NVVR26A120M1WST
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Configuración:	Half-Bridge
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	51 ns
Altura:	5 mm
Longitud:	55.2 mm
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	59 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	6
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	EliteSiC
Tipo:	Power Module
Tiempo de retardo de apagado típico:	220 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	125 ns
Ancho:	55.2 mm